李卫胜，bw必威西汉姆联官网集成电路学院副教授，特聘研究员，博士生导师，国家级青年人才。2021年毕业于Betway必威西汉姆联，获得电子科学与技术专业博士学位。2021年-2024年在bw必威西汉姆联官网从事博士后研究。迄今在Nature、Nature Nanotechnology、Nature Electronics、IEEE IEDM、National Science Review等高水平期刊发表论文30余篇，其中6篇论文入选ESI高被引/热点论文，论文总引用2900余次，相关成果两次入选中国半导体十大研究进展（2022，2023）和江苏省自然科学百篇优秀成果论文（2023，2024）。主持承担科技部重点研发计划子课题、国家/江苏省自然科学基金青年项目、博士后特别资助项目/面上项目等多项。获得中国电子学会优秀博士学位论文、江苏省卓越博士后、2D Materials新锐青年科学家、小米青年学者、雅辰集成电路青年学者等奖项。

主要研究方向：

高性能低功耗二维半导体晶体管与集成应用

欢迎对半导体器件物理和工艺感兴趣的同学咨询wsli@nju.edu.cn。

代表性论文（部分）：

1.        Weisheng Li, Xiaoshu Gong, Zhihao Yu et. al. 'Approaching the quantum limit in two-dimensional semiconductor contacts', Nature, 613, 274-279 (2023). ESI高被引/热点论文。    

2.        Weisheng Li, Jian Zhou, Songhua Cai et. al. ‘Uniform and ultrathin high-κ gate dielectrics for two-dimensional electronic devices’, Nature Electronics, 2, 563–571(2019). ESI高被引/热点论文。

3.        Weisheng Li, Mingyi Du, Chunsong Zhao et. al. ‘Scaling MoS2 transistors to 1 nm node’ IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2024, 25-7.                               

4.        Weisheng Li, Dongxu Fan, Liangwei Shao et. al. ‘High-Performance CVD MoS2 Transistors with Self-Aligned Top-Gate and Bi Contact’, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2021, 37.3.1-37.3.4.

5.        Weisheng Li, Haoliang Shen, Hao Qiu, Yi Shi, Xinran Wang. 'Two-dimensional semiconductor transistors and integrated circuits for advanced technology nodes '. National Science Review, 11, 3 (2024).