刘蕾，苏州实验室博士后。本科毕业于电子科技大学，博士毕业于bw必威西汉姆联官网，主要从事低维半导体材料的制备及应用相关研究。目前在Nature，Nature Nanotechnology等期刊发表论文10余篇，4篇入选ESI高被引/热点论文，论文总引用达1500余次。其中以第一作者身份发表Nature一篇、Nature Materials一篇。获权中国专利一项，美国专利一项。获得2022年中国半导体十大研究进展，2023年江苏省自然科学百篇优秀学术成果论文。2025年入选“博士后创新人才支持计划”。

1. Lei Liu†, Taotao Li†*, Liang Ma†*, Weisheng Li†, Si Gao†, Wenjie Sun†, Ruikang Dong†, Xilu Zou, Dongxu Fan, Liangwei Shao, Chenyi Gu, Ningxuan Dai， Zhihao Yu, Xiaoqing Chen, Xuecou Tu, Yuefeng Nie, Peng Wang, Jinlan Wang*, Yi Shi, Xinran Wang*, Uniform nucleation and epitaxy of bilayer molybdenum disulfide on sapphire, Nature, 605, 69-75(2022)

2.Lei Liu†, Taotao Li†, Xiaoshu Gong†, Hengdi Wen†, Liqi Zhou, Mingwei Feng, Haotian Zhang, Ningmu Zou, Yuhao Li, Shitong Zhu, Fulin Zhuo, Xilu Zou, Zehua Hu, Zhiyuan Ding, Susu Fang, Weigao Xu, Xingang Hou, Kai Zhang, Gen Long, Lei Tang, Yucheng Jiang, Zhihao Yu, Liang Ma, Jinlan Wang, Xinran Wang*, Homoepitaxial growth of large-area Rhombohedral-stacked MoS₂, Nature Materials (2025)

3. 中国发明专利：王欣然，刘蕾，李涛涛，施毅。一种双层过渡金属硫族化合物连续薄膜及其制备方法。专利号：ZL 202210182597.0.

4. 美国发明专利：Xinran Wang, Lei Liu, Taotao Li & Yi Shi. Methods for Uniform Growth of Bi-layer- Transition Metal Dichalcogenide continuous films. Patent No. 17/724,949.